作為國內(nèi)碳化硅功率器件先行者，派恩杰半導體有限公司成立于2018年9月，是中國第三代半導體功率器件的領先品牌，主營車規(guī)級碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵功率器件。擁有深厚的技術底蘊和全面的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，創(chuàng)始人黃興博士于09年起深耕于碳化硅和氮化鎵功率器件的設計和研發(fā)，師承IGBT發(fā)明人B. Jayant Baliga教授及晶閘管發(fā)明人Alex Huang教授。10余年碳化硅與氮化鎵功率器件經(jīng)驗，在世界頂尖碳化硅實驗室參與美國自然科學基金委FREEDM項目、美國能源部Power America項目，曾任職于Qorvo Inc.、聯(lián)合碳化硅，2018年成立派恩杰半導體，立志于幫助中國建立成熟的功率器件產(chǎn)業(yè)鏈。 派恩杰半導體會在未來不斷強化研發(fā)能力，突出核心技術，推動碳化硅芯片國產(chǎn)替代，提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務，為客戶創(chuàng)造價值
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